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院系/所/中心（school）

信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院 微納電子學(xué)系

合作導(dǎo)師（mentor）

黃如院士

研究專業(yè)/方向（department/area）

微電子學(xué)與固體電子學(xué)/半導(dǎo)體新器件

年薪標(biāo)準(zhǔn)（annual salary）

1.基本待遇（包括五險(xiǎn)一金、博士后住房補(bǔ)貼、博士后公寓等）按北京大學(xué)博士后流動(dòng)站相關(guān)規(guī)定執(zhí)行；根據(jù)北京市博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜。

2.視申請(qǐng)人背景將提供不低于25萬(wàn)的年薪，并視每年度工作完成情況提供科研獎(jiǎng)勵(lì)津貼。符合條件并申請(qǐng)成功國(guó)家“博新計(jì)劃”等博士后項(xiàng)目或北京大學(xué)“博雅博士后”項(xiàng)目者，另享相關(guān)待遇；在站期間取得的學(xué)術(shù)成果享受學(xué)校相關(guān)獎(jiǎng)勵(lì)政策。

職位描述（position description）

在黃如院士、王潤(rùn)聲副教授課題組進(jìn)行半導(dǎo)體新器件的可靠性實(shí)驗(yàn)研究、或進(jìn)行半導(dǎo)體新器件的建模與表征研究。

候選人基本條件（basic qualifications）

1.在國(guó)內(nèi)外知名高校或研究所獲得微電子、物理、材料等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位；

2.具有良好的英語(yǔ)讀寫(xiě)能力，近三年內(nèi)在相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威期刊或頂級(jí)會(huì)議發(fā)表過(guò)第一作者研究論文至少1篇；

3.熱愛(ài)科研工作，具有從事創(chuàng)新性研究的熱情、高度的責(zé)任心、良好的職業(yè)道德、團(tuán)隊(duì)合作精神；

4.年齡在35周歲以下，獲得博士學(xué)位不超過(guò)3年；須全職從事博士后研究工作。

候選人附加條件(additional qualifications)

具有半導(dǎo)體新器件研究經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先考慮。

申請(qǐng)材料

(applicant documents）

申請(qǐng)人簡(jiǎn)歷及能體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料(包括但不限于個(gè)人情況、教育經(jīng)歷、研究經(jīng)歷、科研能力、技術(shù)背景、代表性論文、論文成果目錄等)。

聯(lián)系人

（contact information）

鄧婧超（辦公電話：010-62765730；郵件地址：dengjingchao@ime.pku.edu.cn，郵件標(biāo)題注明：應(yīng)聘崗位+畢業(yè)院校+本人姓名+高校人才網(wǎng)）

備注（remark）

初選通過(guò)后，郵件通知候選人；申請(qǐng)材料恕不退回。

截止時(shí)間（due date）

歡迎申請(qǐng)，長(zhǎng)期有效，招滿為止。更多最新博士后招收資訊請(qǐng)關(guān)注今日招聘微信公眾號(hào)（微信號(hào)：jrzp_com）

來(lái)源：