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院系/所/中心（school）

信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院微納電子學(xué)系黃如團(tuán)隊

合作導(dǎo)師（mentor）

黃如院士

研究專業(yè)/方向department/area

微電子學(xué)與固體電子學(xué)/半導(dǎo)體新器件；物理學(xué)/半導(dǎo)體物理

年薪標(biāo)準(zhǔn)

annualsalary

基本待遇（包括五險一金、博士后住房補(bǔ)貼、博士后公寓或租房補(bǔ)貼等）按北京大學(xué)博士后流動站相關(guān)規(guī)定執(zhí)行；根據(jù)北京市博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜。

視申請人背景提供不低于25萬的年薪，并視每年度工作完成情況提供科研獎勵津貼。符合條件并申請成功國家“博新計劃”等博士后項目或北京大學(xué)“博雅博士后”項目者，另享相關(guān)待遇；在站期間取得的學(xué)術(shù)成果享受學(xué)校相關(guān)獎勵政策。

職位描述

positiondescription

在黃如院士、唐克超研究員課題組全職從事半導(dǎo)體材料和集成微納電子器件的相關(guān)工作，研究方向包括但不限于：1）高質(zhì)量鐵電材料的生長方法。2）fefet器件的設(shè)計，制備和測試。3）氧化物薄膜材料在存儲器件中的新應(yīng)用

候選人基本條件

basicqualifications

在國內(nèi)外知名高?；蜓芯克@得物理、材料、微電子、電子工程等相關(guān)專業(yè)博士學(xué)位；

具有良好的英語讀寫能力，近三年內(nèi)在相關(guān)領(lǐng)域權(quán)威期刊或頂級會議發(fā)表過第一作者研究論文至少1篇；

熱愛科研工作，具有從事創(chuàng)新性研究的熱情、高度的責(zé)任心、良好的職業(yè)道德和團(tuán)隊合作精神；

年齡在35周歲以下，獲得博士學(xué)位不超過3年；須全職從事博士后研究工作。

候選人附加條件additionalqualifications

優(yōu)先考慮具有以下相關(guān)研究經(jīng)驗的申請人

1.氧化鉿鐵電材料與鐵電器件（feram,fefet,ftj）

2.納米氧化物薄膜的生長與表征

3.半導(dǎo)體器件工藝集成技術(shù)

申請材料

applicantdocuments

申請人簡歷及能體現(xiàn)個人能力得相關(guān)資料（包括但不限于個人情況、教育經(jīng)歷、研究經(jīng)歷、科研能力、技術(shù)背景、代表性論文、論文成果目錄等）。

聯(lián)系人

contactinformation

唐克超（郵件地址：tkch@pku.edu.cn）

備注(remark)

初選通過后，郵件通知候選人；申請材料恕不退回。

截止日期（duedate）

歡迎申請，長期有效，招滿為止。

來源：

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