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招聘

崗位

專任副研究員1名（所屬任務：3-5nm）

崗位

職責

1. FinFET及GAA器件的設計及工藝整合。

2. SiGe材料外延工藝開發(fā)。

3. 面向先進工藝的DTCO技術研究。

招聘條件

1. 擁護黨和國家的各項方針政策，遵守法律法規(guī)，品行端正；身體健康，心理素質良好；愛崗敬業(yè)，恪守學術規(guī)范和職業(yè)道德。

2. 具有微電子、物理、材料相關專業(yè)/學科博士學位。

3. 年齡一般在40周歲以下。

4. 須具有副高級專業(yè)技術職務任職資格或海外人員達到相應水平，或任務特需的，具有中級專業(yè)技術職務任職資格（獲聘后按中級專業(yè)技術職務任職資格認定）

5. 精通半導體器件物理以及集成電路工藝，具有豐富的半導體器件和工藝開發(fā)經驗，包括EBL/刻蝕/外延/ALD/CVD，器件/工藝仿真等。

6. 具有重大項目研究經歷者優(yōu)先。

招聘

范圍

校內、外

崗位

待遇

1.與學校簽訂勞動合同，可申請學校相關住房。

2.提供有市場競爭力的薪資待遇和優(yōu)越的科研環(huán)境。

3.符合相關條件的，可按照學校規(guī)定申請子女入托入學。

應聘

程序

1.應聘者發(fā)送個人簡歷（包括學習研究經歷、發(fā)表論文列表、既往研究成果、未來研究計劃等）至qyx@fudan.edu.cn, 抄送到xu_min@fudan.edu.cn。

2.擇優(yōu)安排面試。

3.擬聘用者報學校審批。

聯(lián)系

方式

郵箱：xu_min@fudan.edu.cn

截止

日期

2023年12月31日

備注

訂立聘用合同或者勞動合同以前有下列情形的，不予錄用：

（1）受過刑事處罰、行政拘留處罰，或者因涉嫌違法正在接受有關部門調查，尚未作出結論的；

（2）受到黨（團）紀、政紀處分，處分尚未解除，或者因涉嫌違紀正在接受有關單位調查，尚未作出結論的；

（3）違反高等學校教師職業(yè)行為規(guī)范的；

（4）在應聘過程中違背誠實信用或者社會公序良俗的；

（5）其他不符合聘用條件的情形。